STB80NF55-08AG vs STB80NF55-06T4 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של STB80NF55-08AG מאת STMicroelectronics ו STB80NF55-06T4 מאת STMicroelectronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
STMicroelectronics
STB80NF55-08AG - 55V 80A Automotive N-Channel MOSFET | STMicroelectronics
STB80NF55-08AG ✓ פעילSTMicroelectronics
STB80NF55-06T4 - 80A, 55V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STB80NF55-06T4 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | STB80NF55-08AG | STB80NF55-06T4 |
|---|---|---|
| מותג | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 80 A (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 6.5 mΩ typ | — |
| Power Dissipation (PD) | 300 W (Tc) | 300 W |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: gate charge value] | 80 nC (typ) |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: input capacitance value] | 4500 pF (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage value] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 100% avalanche tested | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C |
| מארז | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Grade | AEC-Q101 qualified | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | STripFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | — | 80 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | — | 56 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 320 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 6.5 mΩ (typ), 8 mΩ (max) |
| Output Capacitance (Coss) | — | 700 pF (typ) |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 250 pF (typ) |
| נטול הלוגנים | — | Yes |