2EDL8124GXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của 2EDL8124GXUMA1 bằng Infineon và 2ED21064S06JXUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
2ED21064S06JXUMA1 2ED21064S06JXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21064S06JXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21064S06JXUMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số 2EDL8124GXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Driver Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Input Type Non-inverting, TTL-compatible with hysteresis —
Number of Drivers 2 —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Bootstrap Supply (VBS) Maximum 120 V —
VCC Supply Range [DATA_NEEDED: VCC min/max typical range] —
Isolation Type Junction isolation (JI) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Propagation Delay (typical) < 50 ns 100 ns
Delay Matching Between Channels [DATA_NEEDED: delay matching spec in ns] —
UVLO Present on VCC and VBS —
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range in C] —
Hộp PG-VDSON-8-4 (4 mm x 4 mm) with exposed pad PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Trạng thái RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Lead-Free Yes —
Chức năng — High-Side and Low-Side Gate Driver
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
Cấu trúc — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
Nhiệt độ hoạt động — -40C to +125C
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá