2EDL8124GXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL8124GXUMA1 بواسطة Infineon و 2ED21064S06JXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL8124GXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Input Type Non-inverting, TTL-compatible with hysteresis —
Number of Drivers 2 —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Bootstrap Supply (VBS) Maximum 120 V —
VCC Supply Range [DATA_NEEDED: VCC min/max typical range] —
Isolation Type Junction isolation (JI) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Propagation Delay (typical) < 50 ns 100 ns
Delay Matching Between Channels [DATA_NEEDED: delay matching spec in ns] —
UVLO Present on VCC and VBS —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range in C] —
العلبة PG-VDSON-8-4 (4 mm x 4 mm) with exposed pad PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Lead-Free Yes —
الوظيفة — High-Side and Low-Side Gate Driver
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
البنية الطوبولوجية — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر