AIKB40N65DH5ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của AIKB40N65DH5ATMA1 bằng Infineon và BSC076N04NDATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
AIKB40N65DH5ATMA1 AIKB40N65DH5ATMA1 - 650V 40A TRENCHSTOP 5 IGBT | Infineon

AIKB40N65DH5ATMA1 - 650V 40A TRENCHSTOP 5 IGBT | Infineon

AIKB40N65DH5ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số AIKB40N65DH5ATMA1 BSC076N04NDATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục IGBTs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number AIKB40N65DH5ATMA1 —
Technology TRENCHSTOP 5 (Trench + Field-Stop) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Kiểu transitor IGBT NPT (Non-Punch-Through) —
Collector-Emitter Voltage (VCES) 650 V —
Continuous Collector Current (IC) at TC=100C 40 A —
Pulsed Collector Current (ICM) 74 A —
Gate-Emitter Voltage (VGES) +/-20 V —
VCE(sat) at IC=40 A, VGE=15 V, Tj=25C [DATA_NEEDED: VCE(sat) typical value] —
Co-packaged Diode RAPID 1 fast and soft antiparallel diode —
Hộp PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40C to +175C (junction) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified (TRENCHSTOP 5 AUTO) —
Trạng thái RoHS Compliant —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Typical Applications EV chargers, DC/AC converters, photovoltaic inverters, motor drives, induction cooking —
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 C to +175 C
Hộp / Vỏ — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá