BAT41-TAP vs BAT43 So sánh
So sánh chi tiết song song của BAT41-TAP bằng Vishay Intertechnology và BAT43 bằng STMicroelectronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Vishay Intertechnology
BAT41-TAP - 100V 100mA Small Signal Schottky Diode | Vishay
BAT41-TAP ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BAT41-TAP | BAT43 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Vishay Intertechnology | STMicroelectronics |
| Danh mục | Diodes | Diodes |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Diode Type | Small Signal Schottky Barrier | — |
| Reverse Voltage (VR) | 100 V | — |
| Average Forward Current | 100 mA | — |
| Non-Repetitive Peak Forward Current (IFSM) | 750 mA | — |
| Hộp | DO-204AH (DO-35) axial through-hole | DO-35 (glass axial, through-hole) |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Turn-On Voltage | Low (Schottky barrier) | — |
| Switching Speed | Extremely fast, low forward and reverse recovery times | — |
| ESD Protection | PN junction guard ring | Integrated guard ring against excessive voltage |
| Intended Use | General purpose, switching mode with low IR losses | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified version available (part number on request) | — |
| Configuration | Single diode | Single diode |
| Forward Voltage (VF) | [DATA_NEEDED: Forward Voltage (VF)] | — |
| Reverse Leakage Current (IR) | [DATA_NEEDED: Reverse Leakage Current (IR)] | — |
| Junction Capacitance (CJ) | [DATA_NEEDED: Junction Capacitance (CJ)] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Device Type | — | Small Signal Schottky Diode |
| Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) | — | 30 V |
| Forward Continuous Current (IF) | — | 200 mA at Ta = 25 C |
| Repetitive Peak Forward Current (IFRM) | — | 500 mA (tp <= 1 s, delta <= 0.5) |
| Non-Repetitive Surge Current (IFSM) | — | 4 A (tp = 10 ms) |
| Tiêu hao điện năng (Ptot) | — | 200 mW at Tl = 65 C |
| Technology | — | Metal-to-silicon Schottky barrier |
| Forward Voltage | — | [DATA_NEEDED: forward voltage at rated current] |
| Reverse Leakage Current | — | [DATA_NEEDED: reverse leakage current] |
| Case Style | — | Hermetically sealed glass body |
| Nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |