BAT42-TAP vs 1N5711 So sánh
So sánh chi tiết song song của BAT42-TAP bằng Vishay Intertechnology và 1N5711 bằng STMicroelectronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
STMicroelectronics
1N5711 - 70V 15mA Schottky RF Diode DO-35 | STMicroelectronics
1N5711 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BAT42-TAP | 1N5711 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Vishay Intertechnology | STMicroelectronics |
| Danh mục | Diodes | Diodes |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Diode Type | Small-Signal Schottky Barrier | Small-signal Schottky barrier (RF) diode |
| Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) | 30 V | — |
| Average Forward Current (IF(AV)) | 200 mA | — |
| Non-Repetitive Surge Current (IFSM) | 4.0 A | — |
| Forward Voltage (VF) | [DATA_NEEDED: forward voltage at rated current] | 0.41 V (at 1 mA, per MACOM) |
| Reverse Recovery | Fast switching (Schottky, no stored charge) | — |
| Junction Capacitance | [DATA_NEEDED: diode capacitance] | — |
| Reverse Leakage Current (IR) | [DATA_NEEDED: reverse leakage at rated VR] | — |
| Hộp | DO-204AH (DO-35) glass axial | DO-35 (DO-204AH) hermetic axial-lead glass |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through-Hole |
| Termination Style | Axial Leads | — |
| Packaging Suffix | -TAP (Ammo tape packing) | — |
| Configuration | Single Diode | — |
| Protection Feature | PN junction guard ring against ESD / excessive voltage | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| AEC-Q101 Option | Qualified version available on request | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Mounting Technology | Wave solder / hand solder | — |
| Peak Reverse Voltage (VRRM) | — | 70 V |
| Continuous Forward Current (IF) | — | 15 mA |
| Power Dissipation | — | 430 mW |
| Total Capacitance | — | 2 pF |
| Junction Capacitance (Cj) | — | 1 pF |
| Dynamic Resistance | — | 35 ohm |
| Breakdown Voltage (VB) | — | 70 V |
| Switching Speed | — | Picosecond class (ultrafast, no minority-carrier storage) |
| Junction Structure | — | Metal-to-silicon junction with PN guard ring |
| Reverse Leakage Current | — | [DATA_NEEDED: reverse leakage current at rated VR] |