BSC027N06LS5ATMA1 vs IPG20N10S4L35ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC027N06LS5ATMA1 bằng Infineon và IPG20N10S4L35ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPG20N10S4L35ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1 - 100V Dual N-Ch MOSFET, 35mΩ | Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1 - 100V Dual N-Ch MOSFET, 35mΩ | Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC027N06LS5ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 5 OptiMOS™, Automotive
Part Status Active —
FET Type N-Channel 2 N-Channel (Dual)
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 2.7 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 83 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +150°C —
Hộp / Vỏ PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số chân 8 —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total Qg] —
Avalanche Energy Rated Yes —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant (Green Product)
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Part Number — IPG20N10S4L35ATMA1
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C — 20 A
R<sub>DS(on)</sub> Max — 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A
Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value]
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 43 W
Nhiệt độ hoạt động — 175°C max junction
Automotive Qualification — AEC-Q101
Cấp MSL — MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Avalanche Rated — 100% Avalanche Tested

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá