BSC040N08NS5ATMA1 vs BSC040N10NS5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC040N08NS5ATMA1 bằng Infineon và BSC040N10NS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC040N08NS5ATMA1 - 80V 100A 4mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSC040N08NS5ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
BSC040N10NS5ATMA1 - 100V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSC040N10NS5ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC040N08NS5ATMA1 | BSC040N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC040N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) | 121 A | — |
| On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | 4 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 104 W | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8 |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +175 C | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 | — |
| Primary Application | Synchronous rectification in telecom and server power supplies | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | — | 4 mOhm |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 136 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 139 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Output Capacitance Reduction | — | Up to 44% vs previous generation |
| RDS(on) Reduction | — | Up to 43% vs previous generation |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family) |