BSC050N04LSGATMA1 vs BSG0813NDIATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC050N04LSGATMA1 bằng Infineon và BSG0813NDIATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSG0813NDIATMA1 BSG0813NDIATMA1 - 25V 19A/33A OptiMOS 5 Power Block | Infineon

BSG0813NDIATMA1 - 25V 19A/33A OptiMOS 5 Power Block | Infineon

BSG0813NDIATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC050N04LSGATMA1 BSG0813NDIATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET Array (half-bridge / synchronous buck)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) 18 A —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 57 W —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) —
Hộp PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) PG-TISON-8 (5.0 x 6.0 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse avalanche) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 Power Block
Configuration — High-side + Low-side, integrated
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Low-Side Continuous Drain Current (ID) — 19 A
High-Side Continuous Drain Current (ID) — 33 A
Power Dissipation (PD) — 2.5 W
RDS(on) - Low-Side — [DATA_NEEDED: RDS(on) low-side @ VGS]
RDS(on) - High-Side — [DATA_NEEDED: RDS(on) high-side @ VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Technology Generation — OptiMOS 5
Cấu trúc — Synchronous buck half-bridge

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá