BSS119NH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSS119NH6327XTSA1 bằng Infineon và 2N7002H6327XTSA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSS119NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA, SOT-23 | Infineon
BSS119NH6327XTSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSS119NH6327XTSA1 | 2N7002H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| FET Technology | Enhancement-mode, planar N-channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 190 mA | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 500 mW | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Drive Voltage (VGS) | ±20 V max | — |
| Hộp | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] | -55C to +150C (Tj) |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive grade) | Industrial / Commercial Grade |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Packaging | Tape & Reel (3,000 pcs/reel) | — |
| Cấp MSL | 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Technology | — | OptiMOS (Planar) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 300 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 3 ohm max @ VGS = 10 V |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Channel Mode | — | Enhancement |