BSS214NH6327XTSA1 vs BSP149H6327XTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSS214NH6327XTSA1 bằng Infineon và BSP149H6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 - 200V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP149H6327XTSA1 - 200V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP149H6327XTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSS214NH6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 1.5 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 250 mOhm at VGS = 4.5 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-Source Voltage (VGS max) ±12 V (recommended) —
Technology OptiMOS 2 (planar N-channel) SIPMOS
Hộp SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Lead Finish Pb-free lead plating (matte tin) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
ESD Protection Yes (gate ESD diode) —
Transistor Polarity — N-Channel
Mode of Operation — Depletion Mode (normally ON)
Drain-Source Voltage VDS — 200 V
Continuous Drain Current ID — 660 mA (Ta)
Power Dissipation PD — 1.8 W (Ta)
On-State Resistance RDS(on) — 1 ohm (typ)
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Nhiệt độ hoạt động — -55 C to +150 C (Tj)
Channel Count — 1
Số chân — 4 (G, D, S, tab)
Configuration — Single

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá