BSZ011NE2LS5IATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSZ011NE2LS5IATMA1 bằng Infineon và BSC052N08NS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSZ011NE2LS5IATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 35 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 40 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 69 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 4.5 V to 10 V | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +150°C | — |
| Hộp | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC052N08NS5ATMA1 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5-3.0 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55C to +150C |