BSZ15DC02KDHXTMA1 vs IRF4905SPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của BSZ15DC02KDHXTMA1 bằng Infineon và IRF4905SPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon

BSZ15DC02KDHXTMA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon

BSZ15DC02KDHXTMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IRF4905SPBF IRF4905SPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 42A D2PAK | Infineon

IRF4905SPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 42A D2PAK | Infineon

IRF4905SPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSZ15DC02KDHXTMA1 IRF4905SPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ15DC02KDHXTMA1 —
Kiểu transitor N-Channel + P-Channel (complementary pair) —
Technology OptiMOS™2 (N-ch) + OptiMOS™-P2 (P-ch) HEXFET, planar cell
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 5.1 A —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 3.2 A —
N-Channel RDS(on) Max [DATA_NEEDED: N-ch RDS(on) value in mohm] —
P-Channel RDS(on) Max 55 mOhm (per Infineon part summary) —
Gate Drive Level Super Logic level, 2.5 V rated —
Configuration Common drain (back-to-back source pair) —
Total Package Power Dissipation (PD) 2.5 W @ 25 C (per DigiKey listing) —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 C to +175 C -55 C to +150 C
Hộp PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm, 8-pin with exposed pad) D2PAK (TO-263) surface mount
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead-Free / RoHS Yes / RoHS compliant —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — -42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm @ VGS = -10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2.0 V to -4.0 V
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 170 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W]
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC (typical per Mouser listing)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Trạng thái RoHS — Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)
Qualification — JEDEC standard

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá