H5AN8G6NDJR-UHC vs H5AN8G6NCJR-VKC So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN8G6NDJR-UHC bằng SK hynix và H5AN8G6NCJR-VKC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps FBGA-96 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps FBGA-96 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NCJR-VKC
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs DRAM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Tổ chức 512M x 16 —
Speed Grade 3200 Mbps (PC4-25600) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.14 V to 1.26 V
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Number of Terminals 96 —
Hộp FBGA-96 (13x7.5 mm) FBGA-96
Package Shape RECTANGULAR —
JESD-30 Code R-PBGA-B96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Minimum Operating Temperature 0 °C —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Đông trùng haogen Yes —
Additional Features Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling —
Kích thước bộ nhớ — 8 Gbit
Memory Organization — 512M x 16
Tốc độ dữ liệu — 2666 Mbps (MT/s)
Clock Frequency — 1.333 GHz
Giao diện — Parallel
Nhiệt độ hoạt động — 0C to +95C
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Standby Current — 28 mA
Operating Current — 45 mA
Tính năng — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per datasheet description)
Trạng thái RoHS — Compliant
Trạng thái vòng đời — Active

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá