H5AN8G6NDJR-UHC vs H5AN8G6NCJR-VKC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NDJR-UHC توسط SK hynix و H5AN8G6NCJR-VKC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NDJR-UHC | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| سازمان | 512M x 16 | — |
| Speed Grade | 3200 Mbps (PC4-25600) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.14 V to 1.26 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| بسته‌بندی | FBGA-96 (13x7.5 mm) | FBGA-96 |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Minimum Operating Temperature | 0 °C | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Additional Features | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling | — |
| اندازه حافظه | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| نرخ داده | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| رابط | — | Parallel |
| دمای کاری | — | 0C to +95C |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| Standby Current | — | 28 mA |
| Operating Current | — | 45 mA |
| ویژگی‌ها | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per datasheet description) |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| وضعیت چرخه عمر | — | Active |