H5AN8G6NDJR-UHC vs H5AN8G6NCJR-VKC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NDJR-UHC بواسطة SK hynix و H5AN8G6NCJR-VKC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NDJR-UHC | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| التنظيم | 512M x 16 | — |
| Speed Grade | 3200 Mbps (PC4-25600) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.14 V to 1.26 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| العلبة | FBGA-96 (13x7.5 mm) | FBGA-96 |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Minimum Operating Temperature | 0 °C | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Additional Features | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| معدل البيانات | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| الواجهة | — | Parallel |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0C to +95C |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| Standby Current | — | 28 mA |
| Operating Current | — | 45 mA |
| الميزات | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per datasheet description) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| حالة دورة الحياة | — | Active |