H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-VKC So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN8G8NCJR-RDC bằng SK hynix và H5AN8G8NCJR-VKC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-VKC
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile)
Density 8 Gb (1 GB) —
Tổ chức x8 —
Tốc độ dữ liệu up to 2666 Mbps 2666 Mbps/pin
Điện áp cung cấp 1.2 V (VDD) —
Giao diện DDR4 (JEDEC standard) Parallel (DDR4)
Bank Architecture 4 bank groups x 4 banks —
Burst Length BL8 —
Hộp 78-ball FBGA FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] 0C to +85C
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Generation C-die family (NCJR) —
Lead Free Yes —
Đông trùng haogen Yes —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Kích thước bộ nhớ — 8 Gbit
Memory Organization — 1G x 8
Clock Frequency — 1.6 GHz
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class)
Operating Current (typ) — 30 mA
Standby Current (typ) — 3 mA
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh period]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá