IAUCN08S7L018ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUCN08S7L018ATMA1 bằng Infineon và ISC151N08NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUCN08S7L018ATMA1 - 80V 1.8mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
IAUCN08S7L018ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUCN08S7L018ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 210 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | [DATA_NEEDED: ID at Tc] | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | 1.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | 169 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive (per Infineon part description) | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Trực流连续电流 (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Số lượng chân | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |