IHW40N120R5XKSA1 vs IPP100N12S305AKSA2 So sánh

So sánh chi tiết song song của IHW40N120R5XKSA1 bằng Infineon và IPP100N12S305AKSA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 - 1200V 40A RC-H5 IGBT | Infineon

IHW40N120R5XKSA1 - 1200V 40A RC-H5 IGBT | Infineon

IHW40N120R5XKSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPP100N12S305AKSA2 IPP100N12S305AKSA2 - 120V 100A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon

IPP100N12S305AKSA2 - 120V 100A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon

IPP100N12S305AKSA2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IHW40N120R5XKSA1 IPP100N12S305AKSA2
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục IGBTs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Collector-Emitter Voltage (VCE) 1200 V —
Continuous Collector Current (IC, TC=25C) 80 A —
Pulsed Collector Current (ICM) 160 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 394 W —
Gate-Emitter Voltage (VGE) +/-20 V —
VCE(sat) at IC=40A, VGE=15V, Tj=25C [DATA_NEEDED: typical VCE(sat) value] —
Integrated Anti-Parallel Diode Yes (monolithic reverse-conducting) —
Technology Trench Field Stop, Reverse-Conducting RC-H5 —
Hộp TO-247-3 (PG-TO247-3) through-hole PG-TO220-3-1 (Through Hole)
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Nhiệt độ mối nối hoạt động -40C to +175C —
Storage Temperature -55C to +150C —
Soldering Temperature (max 10s) 260 C —
Switching Application Resonant / soft switching (induction cooking optimized) —
RoHS Compliance Compliant —
Đông trùng haogen Yes —
Cấp MSL N/A (through-hole) N/A (Through Hole)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) — 300 W
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +175C (TJ)
Số chân — 3 (Gate, Drain, Source)
Trạng thái RoHS — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá