IKD15N60RFATMA1 vs IPL60R285P7AUMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IKD15N60RFATMA1 bằng Infineon và IPL60R285P7AUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 - 600V 15A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IKD15N60RFATMA1 - 600V 15A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IKD15N60RFATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPL60R285P7AUMA1 IPL60R285P7AUMA1 - 600V 285mΩ 13A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R285P7AUMA1 - 600V 285mΩ 13A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R285P7AUMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IKD15N60RFATMA1 IPL60R285P7AUMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục IGBTs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Technology TRENCHSTOP IGBT3 (field-stop trench with anti-parallel diode) Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Collector-Emitter Voltage (VCES) 600 V —
Continuous Collector Current (IC at TC=25C) 30 A —
Continuous Collector Current (IC at TC=100C) 15 A —
Pulsed Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: ICM value] —
Gate-Emitter Voltage (VGES) +/-20 V —
Gate-Emitter Threshold (VGE(th)) [DATA_NEEDED: VGE(th) typical value] —
VCE(sat) at IC=15A, VGE=15V 1.5 V (typical) —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 250 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -40C to +175C —
Integrated Anti-Parallel Diode Yes (RC-Drives Fast, co-packaged) —
Hộp PG-TO252-3 (DPAK), 3 pins (2 + tab) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Switching Speed Class Hard-switching, RC-Drives Fast —
Target Application Consumer drives (washing machines, refrigerator compressors, fans, small industrial motor drives) —
RoHS Compliance Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS P7
Drain-to-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM value]
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 285 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Output Capacitance (Coss) typ — [DATA_NEEDED: Coss value]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C — 59 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C (junction)
Hộp / Vỏ — PG-VSON-4 (surface mount)
Configuration — Single N-channel, 4 pins (Gate, Drain, Source, Tab)
Trạng thái RoHS — Compliant
Gate ESD Protection — Integrated
Cấp MSL — 1 (per Infineon PG-VSON-4 family)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá