IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs BSC019N06NSATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPC50N04S5L5R5ATMA1 bằng Infineon và BSC019N06NSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPC50N04S5L5R5ATMA1 - 40V 50A 5.5mΩ OptiMOS Auto MOSFET | Infineon
IPC50N04S5L5R5ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
BSC019N06NSATMA1 - 60V 100A 1.95mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSC019N06NSATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPC50N04S5L5R5ATMA1 | BSC019N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Mode | Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 50 A | — |
| Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) | 60 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 5.5 mΩ | — |
| Gate Threshold VGS(th) | Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) | — |
| Power Dissipation (Tc) | 42 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC | 3.6 K/W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C | -55C to +150C (junction) |
| Hộp | PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 °C | — |
| Avalanche Rating | 100 % Avalanche Tested | — |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC019N06NSATMA1 |
| Technology / Family | — | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.95 mΩ (typ) |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | 3.3 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 136 W |
| Cấp MSL | — | 1 |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |