IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs BSC019N06NSATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPC50N04S5L5R5ATMA1 توسط Infineon و BSC019N06NSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPC50N04S5L5R5ATMA1 BSC019N06NSATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 50 A —
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 5.5 mΩ —
Gate Threshold VGS(th) Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) —
Power Dissipation (Tc) 42 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC 3.6 K/W —
محدوده دمای کاری -55 °C to +175 °C -55C to +150C (junction)
بسته‌بندی PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Peak Reflow Temperature 260 °C —
Avalanche Rating 100 % Avalanche Tested —
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC019N06NSATMA1
Technology / Family — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.95 mΩ (typ)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ — 3.3 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 136 W
سطح MSL — 1
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت