IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs BSC019N06NSATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPC50N04S5L5R5ATMA1 מאת Infineon ו BSC019N06NSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPC50N04S5L5R5ATMA1 BSC019N06NSATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 50 A —
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 5.5 mΩ —
Gate Threshold VGS(th) Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) —
Power Dissipation (Tc) 42 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC 3.6 K/W —
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C -55C to +150C (junction)
מארז PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Peak Reflow Temperature 260 °C —
Avalanche Rating 100 % Avalanche Tested —
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC019N06NSATMA1
Technology / Family — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.95 mΩ (typ)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ — 3.3 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 136 W
רמת MSL — 1
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
סטטוס RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר