IPD135N03LGATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD135N03LGATMA1 bằng Infineon và BSC016N06NSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD135N03LGATMA1 | BSC016N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 30 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 31 W (Tc) | — |
| Hộp / Vỏ | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Gate Charge (Qg) | Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) | — |
| Output Charge (Qoss) | Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS) | -55 °C to +150 °C |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free Finish | Yes | — |
| Qualification | Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade) | — |
| Product Series | — | OptiMOS™ 5 60V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, TA) | — | 30 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.6 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 71 nC |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 139 W |
| Hộp | — | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V |
| Technology | — | OptiMOS™ 5 |