IPL60R105P7AUMA1 vs IPA60R180P7SXKSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPL60R105P7AUMA1 bằng Infineon và IPA60R180P7SXKSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPA60R180P7SXKSA1 - 600V CoolMOS P7 180mOhm MOSFET | Infineon
IPA60R180P7SXKSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPL60R105P7AUMA1 | IPA60R180P7SXKSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 105 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 33 A | 18 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | 137 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 45 nC | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| Hộp | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) | PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Through Hole |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 180 mOhm (max at 25C) |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 26 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Configuration | — | Single |