IPL65R070C7AUMA1 vs IPL60R125C7AUMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPL65R070C7AUMA1 bằng Infineon và IPL60R125C7AUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPL60R125C7AUMA1 IPL60R125C7AUMA1 - 600V 17A 125mOhm CoolMOS C7 | Infineon

IPL60R125C7AUMA1 - 600V 17A 125mOhm CoolMOS C7 | Infineon

IPL60R125C7AUMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPL65R070C7AUMA1 IPL60R125C7AUMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS C7
Technology Superjunction N-Channel MOSFET CoolMOS (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 70 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 169 W —
Avalanche Energy (EAS) 171 mJ —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55°C to +150°C —
Hộp PG-VSON-4 (surface mount) PG-VSON-4 (surface mount)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode —
Channel Type N-Channel —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 17 A
On-State Resistance (RDS(on), max) — 125 mOhm
Power Dissipation (PD, Tc) — 103 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Số chân — 4 (Gate / Drain / Drain / Source)
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 C to +150 C (junction)
Channel Mode — Enhancement
Drive Voltage (recommended) — 10 V VGS

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá