IQD005N04NM6ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQD005N04NM6ATMA1 bằng Infineon và ISC011N04NM7VATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQD005N04NM6ATMA1 - 40V 0.5mΩ N-Ch MOSFET PG-TSON-8-9 | Infineon
IQD005N04NM6ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQD005N04NM6ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 Power-Transistor | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 58 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 610 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 0.5 mOhm | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| Hộp | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | Trench MOSFET, silicon |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Cấp MSL | 1 | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |