IQE008N03LM5ATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQE008N03LM5ATMA1 bằng Infineon và IQE036N08NM6CGSCATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQE008N03LM5ATMA1 - 30V 0.85mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IQE008N03LM5ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQE008N03LM5ATMA1 | IQE036N08NM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 253 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Typical | 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (at 250 µA per LCSC snippet) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 89 W | — |
| Hộp | PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating) | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V (typical MOSFET rating) | — |
| Technology | OptiMOS 5, Source-Down | Trench MOSFET (OptiMOS 6) |
| Trạng thái RoHS | Compliant (per LCSC listing) | Compliant |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 16.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 118 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 125 W |
| Hộp / Vỏ | — | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Configuration | — | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling |
| Packing | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Voltage Rating | — | 60 V to 100 V category (80 V nominal) |