IQE008N03LM5ATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IQE008N03LM5ATMA1 מאת Infineon ו IQE036N08NM6CGSCATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IQE008N03LM5ATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 253 A —
On-Resistance RDS(on) Typical 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (at 250 µA per LCSC snippet) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 89 W —
מארז PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating) -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves)
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V (typical MOSFET rating) —
Technology OptiMOS 5, Source-Down Trench MOSFET (OptiMOS 6)
סטטוס RoHS Compliant (per LCSC listing) Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Series — OptiMOS 6
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 16.7 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 118 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 125 W
מארז / Case — PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Configuration — Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling
Packing — Tape and Reel (suffix ATMA1)
Voltage Rating — 60 V to 100 V category (80 V nominal)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר