IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IQE031N08LM6CGSCATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 bằng Infineon và IQE031N08LM6CGSCATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 - 25V 422A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-Ch MOSFET 127A | Infineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 | IQE031N08LM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | OptiMOS 6 (40 V to 100 V) |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 422 A | — |
| Maximum On-Resistance (Rds(on)) | 0.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | +175 degrees C | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 degrees C to +175 degrees C | -55 C to +175 C (junction, typical for OptiMOS 6) |
| Hộp | PG-TTFN-9-3 | PG-WHTFN-9 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 7 (Trench-Gate) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Qualification | Industrial grade per Infineon datasheet | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS max) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 127 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10 V] |
| Gate Drive Level | — | Logic-level |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon PQFN) |
| Lead-Free | — | Yes |