IRF2805PBF vs IRFB4020PBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF2805PBF bằng Infineon và IRFB4020PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF2805PBF | IRFB4020PBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF2805PBF | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | 175 A (pulsed / package-limited) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.7 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 150 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 330 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Hộp | TO-220AB (3-pin, through-hole) | TO-220AB (through-hole) |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Trạng thái RoHS | Compliant (Pb-free) | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C | — |
| Configuration | Single N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 18 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 100 W |
| RDS(on) Maximum | — | 100 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | — | 20 V |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 1.43 C/W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | 175 C (max) |
| Số chân | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Lead-Free (PbF suffix) | — | Yes |
| Market Qualification | — | Consumer |
| Recommended Use | — | Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications |