IRF7205PBF vs IRFR9024NTRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF7205PBF bằng Infineon và IRFR9024NTRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF7205PBF IRFR9024NTRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) -4.6 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 70 mOhm 175 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1 V to -3 V (typical) —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology IR MOSFET (HEXFET, planar cell) HEXFET (Generation 5)
Hộp SO-8 —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +150 C (junction) -55C to +175C
Power Dissipation (TA=25C) [DATA_NEEDED: Pd at TA=25C] —
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Qualification JEDEC standard —
Trạng thái RoHS Compliant (Pb-free per PBF suffix) —
Generation Fourth Generation HEXFET —
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -11 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 38 W
Gate Charge (Qg) typical — 12.7 nC
Package Type — TO-252AA (DPAK)
Số chân — 3 (Drain, Gate, Source + Tab)
Lead-Free / RoHS — Yes (LPBF suffix)
Reel Orientation — Left (TRL suffix)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá