IRF7495TRPBF vs IRF7854TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF7495TRPBF bằng Infineon và IRF7854TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF - 100V 7.3A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF7495TRPBF - 100V 7.3A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF7495TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF - 80V 10A N-Channel HEXFET MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7854TRPBF - 80V 10A N-Channel HEXFET MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7854TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF7495TRPBF IRF7854TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $0,48
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (planar N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C 7.3 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 22 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ 34 nC at 10 V —
Input Capacitance (Ciss) Max 1530 pF at 25 V —
Power Dissipation (PD) Max at TA=25 C 2.5 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +150 C (TJ) -55°C to +150°C (TJ)
Hộp 8-SOIC (SO-8) SO-8
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL 1 (unlimited) —
Trạng thái RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Estimated EOL Date 2027 —
ECCN EAR99 —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Qualification — JEDEC industrial, Normal level
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá