IRF7495TRPBF vs IRF7854TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7495TRPBF توسط Infineon و IRF7854TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF - 100V 7.3A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF7495TRPBF - 100V 7.3A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF7495TRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7495TRPBF IRF7854TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) — $0.48
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (planar N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C 7.3 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 22 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ 34 nC at 10 V —
Input Capacitance (Ciss) Max 1530 pF at 25 V —
Power Dissipation (PD) Max at TA=25 C 2.5 W —
محدوده دمای کاری -55 C to +150 C (TJ) -55°C to +150°C (TJ)
بسته‌بندی 8-SOIC (SO-8) SO-8
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (unlimited) —
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Estimated EOL Date 2027 —
ECCN EAR99 —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Qualification — JEDEC industrial, Normal level
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت