IRFB3207ZPBF vs FDP86363-F085 So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFB3207ZPBF bằng Infineon và FDP86363-F085 bằng onsemi. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF ✓ Hoạt động
onsemi
FDP86363-F085 FDP86363-F085 - 80V 110A N-Channel PowerTrench MOSFET | onsemi

FDP86363-F085 - 80V 110A N-Channel PowerTrench MOSFET | onsemi

FDP86363-F085 ⚠ Lần mua cuối

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFB3207ZPBF FDP86363-F085
Thương hiệu Infineon onsemi
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Lần mua cuối
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFB3207ZPBF —
Series HEXFET —
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) PowerTrench (shielded-gate trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A 110 A
Silicon-Limited Drain Current 170 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: single-pulse IDM rating]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 C to +175 C —
Hộp TO-220AB (3-lead through-hole) —
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
Cấp MSL N/A (through-hole) —
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 80 V
On-Resistance Rds(on) at Vgs=10V — 2.8 mOhm typical
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V — [DATA_NEEDED: max Rds(on) at Vgs=10V]
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) min/typ/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Junction-to-Case Thermal Resistance RthetaJC — 0.5 C/W
Junction-to-Ambient Thermal Resistance RthetaJA — 62.5 C/W (on 1 in^2 pad of 2oz copper per datasheet)
Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +175C
Package Type — TO-220-3 (TO-220AB)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Trạng thái RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED: explicit halogen-free claim]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá