IRFB4110PBF vs IRF2805PBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFB4110PBF bằng Infineon và IRF2805PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFB4110PBF IRFB4110PBF - 100V N-Channel MOSFET, 120A, TO-220AB | Infineon

IRFB4110PBF - 100V N-Channel MOSFET, 120A, TO-220AB | Infineon

IRFB4110PBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRF2805PBF IRF2805PBF - 55V 175A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF2805PBF - 55V 175A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF2805PBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFB4110PBF IRF2805PBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho In Stock —
Giá đơn vị (USD) $1,55 —
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 4 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +175 °C —
Hộp TO-220AB (through-hole) TO-220AB (3-pin, through-hole)
Technology HEXFET (planar DMOS) HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET)
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Trạng thái RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant (Pb-free)
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF2805PBF
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 175 A (pulsed / package-limited)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.7 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 150 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 330 W
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 °C to +175 °C
Configuration — Single N-Channel MOSFET

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá