IRFB4110PBF vs IRF2805PBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFB4110PBF מאת Infineon ו IRF2805PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFB4110PBF | IRF2805PBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | In Stock | — |
| מחיר ליחידה (USD) | $1.55 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A (bond-wire limited) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 4 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 3.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 370 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| מארז | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB (3-pin, through-hole) |
| Technology | HEXFET (planar DMOS) | HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET) |
| סוג הרכבה | Through Hole | Through Hole |
| סטטוס RoHS | Compliant (Pb-free suffix) | Compliant (Pb-free) |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF2805PBF |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | — | 175 A (pulsed / package-limited) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.7 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 150 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 330 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| Configuration | — | Single N-Channel MOSFET |