IRFB4110PBF vs IRF2805PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFB4110PBF توسط Infineon و IRF2805PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFB4110PBF IRF2805PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 4 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C —
بسته‌بندی TO-220AB (through-hole) TO-220AB (3-pin, through-hole)
Technology HEXFET (planar DMOS) HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET)
نوع نصب Through Hole Through Hole
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant (Pb-free)
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF2805PBF
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 175 A (pulsed / package-limited)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.7 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 150 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 330 W
Maximum Junction Temperature — 175 °C
محدوده دمای کاری — -55 °C to +175 °C
Configuration — Single N-Channel MOSFET

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت