IRFH5300TRPBF vs IRFH5301TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRFH5300TRPBF bằng Infineon và IRFH5301TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRFH5300TRPBF | IRFH5301TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 40 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 336 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.4 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 50 nC | 37 nC (typical) |
| Power Dissition at TA=25C | 3.6 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 250 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| Hộp | PQFN-8 (5x6 mm) | PQFN (5x6 mm) Single Die |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (StrongIRFET) | HEXFET (StrongIRFET) |
| Gate Drive Level | Logic-level (5V optimized) | — |
| JEDEC Qualification | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (TA, 25C) | — | 35 A |
| Continuous Drain Current (TC, 25C) | — | 100 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.85 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 110 W |
| Gate Drive Logic Level | — | Optimized for 5 V VGS drive |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Halogen-free |
| Qualification | — | JEDEC standard |