IRFH8201TRPBF vs IRFH8318TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFH8201TRPBF bằng Infineon và IRFH8318TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF - 25V N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRFH8201TRPBF - 25V N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRFH8201TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF - 30V N-Ch StrongIRFET, 3.1mΩ | Infineon

IRFH8318TRPBF - 30V N-Ch StrongIRFET, 3.1mΩ | Infineon

IRFH8318TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFH8201TRPBF IRFH8318TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET (trench MOSFET) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 324 A —
RDS(on) max at VGS=10V 0.95 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V max —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC at VGS=10V 41 nC
Output Capacitance (Coss) 7.33 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 850 pF —
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 156 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C —
Hộp SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH8318TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 120 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 3.6 W
Power Dissipation (Tc) — 59 W
Nhiệt độ hoạt động — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes
Description — Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá