IRLH5030TRPBF vs IRFH8201TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRLH5030TRPBF bằng Infineon và IRFH8201TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRLH5030TRPBF | IRFH8201TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRLH5030TRPBF | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | StrongIRFET (trench MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 13 A | 49 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 9 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 44 nC | 56 nC at VGS=10V |
| Gate Drive Voltage (optimized) | 10 V (capable of 4.5 V) | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3.6 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 156 W | — |
| Thermal Resistance to PCB (RthJC) | 0.8 C/W | — |
| Hộp | PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm) | SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad |
| Profile Height | ≤ 0.9 mm | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Rg Tested | 100% | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free) | — |
| Industry-Standard Pinout | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 324 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 0.95 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.35 V max |
| Output Capacitance (Coss) | — | 7.33 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 850 pF |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 156 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |