IRLH5030TRPBF vs IRFH8201TRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLH5030TRPBF מאת Infineon ו IRFH8201TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRLH5030TRPBF | IRFH8201TRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRLH5030TRPBF | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | StrongIRFET (trench MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 13 A | 49 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 9 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 44 nC | 56 nC at VGS=10V |
| Gate Drive Voltage (optimized) | 10 V (capable of 4.5 V) | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3.6 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 156 W | — |
| Thermal Resistance to PCB (RthJC) | 0.8 C/W | — |
| מארז | PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm) | SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad |
| Profile Height | ≤ 0.9 mm | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Rg Tested | 100% | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free) | — |
| Industry-Standard Pinout | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 324 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 0.95 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.35 V max |
| Output Capacitance (Coss) | — | 7.33 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 850 pF |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 156 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +150C |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |