IRLR9343TRPBF vs IRFR5505TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRLR9343TRPBF bằng Infineon và IRFR5505TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR9343TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR9343TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRLR9343TRPBF IRFR5505TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRLR9343TRPBF —
FET Type P-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET IR MOSFET (HEXFET 5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] -72 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 105 mOhm 110 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: max VGS rating] +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) 31 nC (typical) 21.3 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 79 W —
Hộp PG-TO252-3 (DPAK) Surface Mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: Tj min/max operating range] —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix)
Cấp MSL 1 —
Optimized Application Class-D audio amplifier output stages —
Polarity P-Channel P-Channel
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -18 A
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 57 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 2.2 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá