IRLU024NPBF vs IRFR5505TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRLU024NPBF bằng Infineon và IRFR5505TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRLU024NPBF | IRFR5505TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | IRLU024NPBF | — |
| FET Type | N-Channel, Logic-Level | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (5th generation) | IR MOSFET (HEXFET 5th generation) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 17 A | -18 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | -72 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 65 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10 nC (typical, per listing) | 21.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 45 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | 3.3 C/W | 2.2 C/W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) | 110 C/W (50 C/W PCB-mounted) | 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper) |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| Hộp | IPAK (TO-251AA), Through Hole | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates lead-free plating) | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Gate Drive Voltage (optimized) | 10 V (capable of 4.5 V) | — |
| Series | — | HEXFET |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | -55 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | — | 110 mOhm |
| Gate-Source Charge (Qgs) | — | [DATA_NEEDED: Qgs] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss] |
| Rise Time (tr) | — | [DATA_NEEDED: tr] |
| Fall Time (tf) | — | [DATA_NEEDED: tf] |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 57 W |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant (PBF suffix) |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |