ISC060N10NM6ATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC060N10NM6ATMA1 bằng Infineon và ISC046N13NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISC060N10NM6ATMA1 - 100V 97A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC060N10NM6ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC060N10NM6ATMA1 | ISC046N13NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 100 V | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 135 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 15 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 97 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typical) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55 C to +175 C |
| Hộp | PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 (thin-wafer trench) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Part Family | — | OptiMOS 6 |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 142 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 211 W |
| Hộp / Vỏ | — | PG-TDSON-8 |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (typical) |
| Packaging | — | Tape & Reel |