ISC060N10NM6ATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC060N10NM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISC046N13NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC060N10NM6ATMA1 | ISC046N13NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 100 V | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 135 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 15 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 97 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typical) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55 C to +175 C |
| العلبة | PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 (thin-wafer trench) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Part Family | — | OptiMOS 6 |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 142 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 211 W |
| العلبة / الحالة | — | PG-TDSON-8 |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (typical) |
| Packaging | — | Tape & Reel |