IXDH20N120 vs IXDH20N120D1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IXDH20N120 bằng Littelfuse và IXDH20N120D1 bằng Littelfuse. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Littelfuse
IXDH20N120D1 - 1200V 38A NPT IGBT with Diode | TO-247AD | Littelfuse
IXDH20N120D1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IXDH20N120 | IXDH20N120D1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Littelfuse | Littelfuse |
| Danh mục | IGBTs | IGBTs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | IXYS (acquired by Littelfuse) | — |
| Part Number | IXDH20N120 | — |
| Device Type | NPT (Non-Punch Through) IGBT | — |
| Collector-Emitter Voltage (VCES) | 1200 V | 1200 V |
| Continuous Collector Current (IC25) | 38 A | — |
| Pulsed Collector Current (ICM) | [DATA_NEEDED: pulsed collector current 1 ms] | [DATA_NEEDED: ICM value] |
| Gate-Emitter Voltage (VGES, continuous) | +/- 20 V | — |
| Gate-Emitter Voltage (VGEM, transient) | [DATA_NEEDED: VGEM transient rating] | — |
| Power Dissipation (PC) | 200 W | — |
| Junction Temperature (TJ) | -40C to +150C [DATA_NEEDED: max TJ] | — |
| Storage Temperature (Tstg) | [DATA_NEEDED: storage temperature range] | -55 C to +150 C |
| RBSOA | Square (no latch-up) at VGE = 15 V, Rg = 20 ohm, TJ up to 150 C | Square RBSOA at 1200 V / 38 A (snubberless hard switching) |
| Short-Circuit Withstand (tSC) | 10 us minimum at VCE = VCES, VGE = +/- 15 V, TC = 25 C [DATA_NEEDED: exact value] | — |
| Diode Option | Optional ultra-fast FRED (D1 suffix variant: IXDH20N120D1) | — |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Hộp | TO-247AD (3-lead) | — |
| Trạng thái RoHS | ROHS3 Compliant | Compliant |
| Operating Mode | N-Channel IGBT | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Technology | — | NPT (Non-Punch Through) IGBT with co-packaged FRED |
| Gate-Emitter Voltage (VGES) | — | +/- 20 V |
| Continuous Collector Current IC25 | — | 38 A (at TC = 25 C) |
| Continuous Collector Current IC90 | — | [DATA_NEEDED: IC90 value] |
| Maximum Power Dissipation (PC) | — | 200 W |
| N Nap-Emit (Vce(sat)) | — | 3.0 V typ at IC = 20 A |
| Gate Threshold Voltage (VGE(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGE(th) value] |
| Short Circuit Withstand Time (tSC) | — | [DATA_NEEDED: tSC value] |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -55 C to +150 C |
| Package Type | — | TO-247AD (3-pin with tab) |
| Integrated Diode | — | Yes - co-packaged FRED (D1 variant) |