K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G045WD-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A4G085WD-BCRC bằng Samsung Electronics và K4A4G045WD-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A4G045WD-BCRC K4A4G045WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM x4, 1.2V | Samsung

K4A4G045WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM x4, 1.2V | Samsung

K4A4G045WD-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A4G085WD-BCRC K4A4G045WD-BCRC
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs DRAM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Memory Density 4 Gbit —
Tổ chức 512M x 8 1G x4
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM (D-die) DDR4 SDRAM
Tốc độ dữ liệu 2400 Mb/s (PC2400) —
Điện áp cung cấp 1.2 V —
Hộp FBGA-78 (TFBGA) TFBGA-78 (FBGA-78)
Number of Terminals 78 78
Giao diện Parallel —
Access Mode Multi-bank page burst —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CL for BCRC bin]
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] Self refresh supported (per Partstack listing)
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Density — 4 Gb
Die Generation — D-die
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — BCRC (2400 Mbps per Samsung product selection guide)
Self Refresh — Yes
Temperature Grade — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: CK frequency for BCRC bin]
Bank Architecture — DDR4 8 internal banks with bank groups
Lead Free Status — [DATA_NEEDED: lead-free status]
Packaging Option — [DATA_NEEDED: tape and reel quantity]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá