K4AAG085WA-BCWE vs K4AAG085WM-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4AAG085WA-BCWE bằng Samsung Electronics và K4AAG085WM-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4AAG085WA-BCWE K4AAG085WA-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 1.2V | Samsung

K4AAG085WA-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 1.2V | Samsung

K4AAG085WA-BCWE ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCRC K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC - 32Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4AAG085WM-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4AAG085WA-BCWE K4AAG085WM-BCRC
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit [DATA_NEEDED: exact density in Gb]
Tổ chức 2G x 8 x8
Tốc độ dữ liệu 3200 Mbps (DDR4-3200) —
Điện áp cung cấp 1.2 V —
Operating Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
Nhiệt độ hoạt động 0 C to 85 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Hộp 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) 78-ball FBGA
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Giao diện JEDEC DDR4 SSTL12
Memory Width 8-bit —
Refresh Auto-refresh (per JEDEC DDR4) —
Application Class Main memory / embedded DRAM —
Trạng thái RoHS Compliant (per JLCPCB listing) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Manufacturer Samsung Electronics —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Max Data Rate — Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page)
Architecture — Bank-group DDR4
Termination — On-Die Termination (ODT)
Latency CAS — [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade]
Clock — Differential clock CK/CK#
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá