K4RCH046VM-2CLP vs K4RHE165VB-BCWM So sánh

So sánh chi tiết song song của K4RCH046VM-2CLP bằng Samsung Electronics và K4RHE165VB-BCWM bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4RCH046VM-2CLP K4RCH046VM-2CLP - 32Gb DDR5 SDRAM 6400Mbps | Samsung

K4RCH046VM-2CLP - 32Gb DDR5 SDRAM 6400Mbps | Samsung

K4RCH046VM-2CLP ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4RCH046VM-2CLP K4RHE165VB-BCWM
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 32 Gb 24 Gb
Tổ chức 4G x 4 1G x 16
Tốc độ dữ liệu 6400 Mbps 5600 Mbps
Điện áp cung cấp 1.1 V 1.1 V
Nhiệt độ hoạt động 0C to 85C 0 C to +85 C
Hộp 78-FBGA 106 FBGA
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Configuration x4 component —
Giao diện DDR5 (SSTL-style low-voltage signaling) Parallel, DDR5
Family Speed Range (Samsung DDR5) up to 7200 Mbps —
Family Density Range (Samsung DDR5) 16 Gb to 32 Gb —
Power Efficiency vs DDR4 Approx. 30% greater —
Product Status (per distributor listing) Sample / Active supply via distribution —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Cấp MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Product Status — Mass Production
Generation — DDR5
Application Segment — DDR5 memory modules and HPC systems
Speed Grade Suffix — BCWM
tCK (Clock Period) — [DATA_NEEDED: clock period]
Latency CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá